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参数目录42165
> IRFR3411TRPBF MOSFET N-CH 100V 32A DPAK
型号:
IRFR3411TRPBF
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
International Rectifier
描述:
MOSFET N-CH 100V 32A DPAK
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
IRFR3411TRPBF PDF
标准包装
2,000
系列
HEXFET®
FET 型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点
标准
漏极至源极电压(Vdss)
100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
32A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
44 毫欧 @ 16A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
71nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
1960pF @ 25V
功率 - 最大
130W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装
D-Pak
包装
带卷 (TR)
其它名称
IRFR3411TRPBF-ND
IRFR3411TRPBFTR
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